激光退火相关论文
图形化GaN、AlN或蓝宝石衬底,已被业内证明是提高薄膜质量的有效方法,而激光作为单步制备微/纳米结构的一种新方法已应用于很多领......
有机薄膜晶体管（OTFT）以其可低温溶液处理、分子结构设计灵活的优势在存储器、传感器、有机集成电路等有机电子领域备受关注,而商业......
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不......
本文对金属诱导单一方向横向晶化(MIUC)与不同能量脉冲的三倍频固体激光退火技术结合,提高多晶硅薄膜晶体管性能,进行了深入的探讨......
主要介绍了当激光入射到单晶金属A12O3／Al(111)表面时将发生二次谐波产生(SHG)现象的实验装置和实验方法，利用该装置可以研究SHG和从......
利用傅里叶变换拉曼散射技术研究了CdTe表面的拉曼散射信号与激发光功率的关系,并对实验结果进行了分析和定性解释。......
介绍了利用KrF准分子脉冲激光对氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行激光退火以实现薄膜的结晶化。利用等离子增强化学气相沉积(PECV......
利用连续Ar<sup>+</sup>激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd<sub>2</sub>Si/GaAs(6.9×10<sup>17</sup>cm<sup>-3......
准分子激光退火是一种可以将非晶体硅（a－silicon）转变为多晶硅（resilicon）的处理方法．由于它允许对玻璃基底上的硅薄膜低温处理，代替了需......
１９９６年展望硅微电子技术发展趋势（续）北京微电子技术研究所（北京１０００７６）许忠义，白丁４．１．３金属导体层金属导体包括Ａｌ（掺Ｃｕ３％）、Ｗ、Ｃｕ。当ＴｉＮ淀积后，一般用ＣＶＤＷ填充接触孔或通......
ＵｌｔｒａｔｃｈＳｔｅｐｐｅｒ等三家公司共同开发出了采用激光掺杂形成浅结和 0 1 8μｍ工艺退火相结合的混合光刻技术。在该技术中 ,不需要抗蚀剂而采用了分步......
近日在横浜召开的“ＬＣＤ／ＰＤＰ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ２０００”上，制造商争相展示低温多晶Ｓｉ－ＴＦＴ液晶的生产设备。特别引人注目的是形成Ｓｉ多晶化的退火（Ａｎｎｅａｌ）设备以及用于形成晶体管的离......
1981年12月15日至19日在江苏省无锡市召开了第三届全国半导体物理学术会议.参加会议的133名代表,来自全国各有关的高等院校、研究......
用分光反射光谱(SR)和分光椭偏光谱(SE)来分析低温激光退火多晶硅薄膜的光学特性。利用多层光学和Braggeman有效介质近似模型(B-EM......
随着器件尺寸的缩小,离子注入和退火等制程的可变性开始引起器件阈值电压的显著变化。对此,器件制造商有两个选择:要么围绕可变性......
德州仪器(TI)的技术主管宣布,采用毫秒退火技术获得了结工程的重大进展,这在TI45nm晶体管技术中扮演了重要角色,目前正在向后半年......
使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20~25nm的光致量子点(LIQD),远小于退火前的量子......
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
本文介绍一种激活IGBT或者续流二极管背发射极的新方法。为了用一次单激光冲击激活1.5cm×1.5cm的区域,采用了大功率紫外激光器。......
利用小功率40kHz的CO2脉冲激光对25μm厚的超薄熔石英玻璃与熔石英毛细管端面进行热熔焊接,研究和分析了占空比(脉冲激光功率)、离......
日本Gigaphoton公司开发出了用于制造平板显示器(FPD)的极小激光退火工序用准分子激光器“GIGANEX”系列,并将其配备在日本V-Techn......
针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),......
设计了一套用于准分子激光低温多晶硅制备的线光束整形系统。系统中设置的光斑转换模块可使原始光束截面横纵倒置;利用扩束模块对......
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基于热传导方程建立了ZnO薄膜的准分子激光辐照理论模型,模拟分析了KrF准分子激光辐照ZnO薄膜的热效应。计算了薄膜的温度场分布和......
脉冲激光退火技术从1974年问世以来一直被认为是一种热处理方式。皮秒范围内的超短脉冲退火可以用热模型解释。飞秒或脉宽更短的超......
分析碳化硅肖特基接触工艺和欧姆接触工艺技术发展历程,目前存在的问题。碳化硅肖特基接触工艺的发展特征是低势垒高度金属逐渐替......
随着半导体产业的蓬勃发展,互补金属氧化物半导体元器件的尺寸不断微缩,其纳米制程对快速热退火工艺的要求也日益苛刻。在激光尖峰......
激光退火技术,以较低的热预算,可以在瞬间达到较高的退火温度,工艺过程高度可控,制程可重复性好,已经广泛应用于半导体工业界.本文......
透明导电氧化物（TCO）因同时具备透光性和导电性成为了微电子和光电行业重要的基础材料,并被广泛地应用在太阳能电池、发光二极管、液......
过渡金属硫族化合物(TMDC)、石墨烯结构化合物等新型二维层状半导体材料拥有独特的能带结构和晶体结构,成为当前材料、物理等学科......
近年来随着半导体产业的发展,芯片上单位面积所容纳晶体管的数量以摩尔定律的规律不断增加,大概每两年就会翻倍,这就要求相应的半......
铁酸铋(BiFeO3,BFO)是一种在室温下同时具有铁电性和反铁磁性的多铁材料,近年来吸引了无数学者的研究,铁酸铋／铁磁(BFO/FM)双层膜体......
显示市场正朝着柔性和大尺寸的方向发展,金属氧化物薄膜晶体管（MOTFT）有迁移率高（1-100cm2/Vs）、薄膜均匀性好等优点,成为有源矩阵液晶......
采用高温固相反应法制备了不同掺Tb浓度的CaSrSiO4纳米荧光粉.TEM照片显示粉末颗粒为球状,直径30～50 nm.XRD主要衍射峰与CaSrSiO4基......
利用KrF准分子激光,在室温下对PLD法制备的MgZnO薄膜进行激光退火处理,研究了激光能量密度为50~167 mJ/cm~2时对薄膜结晶性能的影......
本实验利用TDPAC方法,通过30MeVα粒子束(2μA)引起的~(109)Ag(α,2n)~(111)In核反应产生的~(111)In离子,研究了~(111)In离子在Ag......
层状钙钛矿SrBi_2Ta_2O_9(SBT)铁电薄膜具有无疲劳和在亚微米(...
